基在碳化硅（SiC）的功率半导体具有高效力、高功率密度、高耐压和高靠得住性等诸多优势，为实现新利用和推动充电站手艺立异缔造了机遇。开云app官网近日，英飞凌科技股分公司公布与中国的新能源汽车充电市场领军企业英飞源告竣合作。英飞凌将为英飞源供给业内领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件，用在晋升电动汽开云手机版车充电站的效力。

英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士暗示：“英飞凌与英飞源在电动汽车充电解决方案范畴的合作，将为本地电动汽车充电行业供给超卓的系统级手艺解决方案。它将年夜幅提高充电效力，加速充电速度，并为电动汽车车主缔造更好的用户体验。”英飞源中国区总裁邱添泉暗示：“经由过程与在SiC产物范畴延续精进20年以上并具有壮大的集成手艺实力的英飞凌合作，英飞源将经由过程采取最早进的产物工艺和设计解决方案，继续巩固并连结其在行业中的手艺领先地位。我们还可觉得新能源汽车直流充电解决方案的充电效力建立新的标杆，从而为客户缔造更多便当和并世无双的价值，增进电动汽车充电行业的健康成长。”因为具有高功率密度，SiC合用在开辟高机能、轻量且紧凑的充电解决方案，这对超等充电站和超紧凑壁挂式直流充电桩尤其有益。SiC手艺比拟传统的硅手艺可将电动汽车充电站的效力提高1%，从而下降了能耗和运营本钱。以一座100 kW的充电站为例，这意味着节流1 kWh电能，每一年节流270欧元本钱，和削减3.5吨碳排放。这将年夜幅鞭策SiC功率器件在电动汽车充电模块中的利用。作为最早将沟槽栅手艺用在晶体管的SiC功率半导体系体例造商之一，英飞凌推出了帮忙提高充电解决方案靠得住性的进步前辈设计。这些器件具有高阈值电压，并简化了栅极驱动。CoolSiC MOSFET手艺在上市前已经由过程马拉松应力实验和栅极电压跳变应力实验，并在上市后按期进行监控，以确保具有最高栅极靠得住性。经由过程采取英飞凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飞源的30 kW直流充电模块可以或许实现宽恒功率规模、高功率密度、最小电磁辐射和干扰、高庇护机能和高靠得住性。这使其不但可以或许知足年夜大都电动汽车的快速充电需求，还能实现比市场上的其他解决方案超出跨越1%的效力。这有助在年夜幅下降能耗和碳排放，到达全球领先程度。